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Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd
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40V/80A TO-252 N Modalità di potenziamento del canale Potenza MOSFET JY4N8M

40V/80A TO-252 N Modalità di potenziamento del canale Potenza MOSFET JY4N8M

  • 40V/80A TO-252 N Modalità di potenziamento del canale Potenza MOSFET JY4N8M
  • 40V/80A TO-252 N Modalità di potenziamento del canale Potenza MOSFET JY4N8M
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  • 40V/80A TO-252 N Modalità di potenziamento del canale Potenza MOSFET JY4N8M
40V/80A TO-252 N Modalità di potenziamento del canale Potenza MOSFET JY4N8M
Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: JEUNKEI
Certificazione: ISO9001,CE
Numero di modello: JY4N8M
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 50pcs (campione disponibile)
Prezzo: USD0.5-USD1/PC
Imballaggi particolari: serie per l'esportazione
Tempi di consegna: dipenda dalla quantità /Negotiable di ordine
Termini di pagamento: T/T, Western Union, Paypal
Capacità di alimentazione: 30000 pezzi al mese
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
nome: MOSFET di potere Modello N.O.: JY4N8M
Tipo: Canale di N Tensione di Scolo-fonte: 40 V
Tensione di Portone-fonte: ± 20V Corrente continua dello scolo: 80A (Tc=25°C)
Corrente pulsata dello scolo: 350A Massima dissipazione di potenza: 80W
recupero del corpo inverso: - Sì, sì.
Evidenziare:

MOSFET di potenza 80A

,

MOSFET di potenza 40V

Descrizione generale:

 

Caratteristiche:

 

Il JY4N8M utilizza le più recenti tecniche di elaborazione di trincea per ottenere l'alta densità delle celle e riduce la resistenza di accensione con una bassa carica di cancello.Queste caratteristiche si combinano per rendere questo progetto un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazione di commutazione di potenza e una vasta gamma di altre applicazioni.

 

Applicazioni:

 

● 40V/80A, RDS ((ON) ≤6,5mΩ@VGS=10V
● Cambiamento rapido e recupero del corpo in senso inverso
● Voltaggio e corrente delle valanghe completamente descritti
● Ottimo pacchetto per una buona dissipazione del calore

 

Descrizione del PIN:

 

40V/80A TO-252 N Modalità di potenziamento del canale Potenza MOSFET JY4N8M 0

 

Valori massimi assoluti ((Tc=25°C, a meno che non sia specificato diversamente)

 

Il simbolo Parametro Limite Unità
V.D.S. Voltaggio della fonte di scarico 40 V.
V.GS Voltaggio della sorgente di porta ± 20 V.
Io...D Corrente di scarico continua Tc=25°C 80 A
Tc=100°C 55
Io...DM Corrente di scarico pulsata 350 A
PD Dissipazione di potenza massima 80 W
TJTSTG Intervallo di temperatura di giunzione di funzionamento e di stoccaggio -55~+175 °C
RΘJC Resistenza termica-incrocio con la cassa 1.88 °C/W
RΘJA Resistenza termica - Giunzione all'ambiente 92

 

Esempio del pacchetto:

 

40V/80A TO-252 N Modalità di potenziamento del canale Potenza MOSFET JY4N8M 1

Il simbolo Dimensioni in millimetri Dimensioni in pollici
Un minuto. - Max, ti prego. Un minuto. - Max, ti prego.
A 2.200 2.400 0.087 0.094
A1 0.000 0.127 0.000 0.005
b 0.660 0.860 0.026 0.034
c 0.460 0.580 0.018 0.023
D 6.500 6.700 0.256 0.264
D1 5.100 5.460 0.201 0.215
D2 0.483TYP. 0.190 TYP.
E 6.000 6.2000 0.236 0.244
e 2.186 2.386 0.086 0.094
L 9.800 10.400 0.386 0.409
L1 2.900 TYP 0.114 TYP.
L2 1.400 1.700 0.055 0.067
L3 1.600 TYP 0.063 TYP.
L4 0.600 1.000 0.024 0.039
ø 1.100 1.300 0.043 0.051
I
h 0.000 0.300 0.000 0.012
v 5.350 TYP. 0.211 TYP.


Per ulteriori informazioni sui prodotti, si prega di contattarci direttamente via email: ivanzhu@junqitrading.com

 

Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Ivanzhu

Telefono: 0086-13961407941

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